Bộ nhớ flash của Trung Quốc được đặt tên là “Poxiao” (có nghĩa là “Bình minh”, hay gọi tắt PoX), nguyên mẫu này nhỏ hơn một hạt gạo mang đến khả năng xóa và ghi dữ liệu chỉ trong 400 pico giây, tương đương một phần nghìn tỷ giây. Nghiên cứu này đã được công bố trên tạp chí khoa học danh tiếng Nature.
Thiết bị bộ nhớ flash này được Đại học Phúc Đán bắt đầu nghiên cứu từ năm 2015 mang đến sức mạnh vượt trội hơn bộ nhớ dễ bay hơi nhanh nhất hiện nay, như SRAM, khi nhanh gấp hơn 10.000 lần. Mặc dù SRAM và DRAM cung cấp tốc độ cao, nhưng chúng lại dễ mất dữ liệu và có chi phí cao. Ngược lại, bộ nhớ flash bền bỉ nhưng lại chậm hơn. Phương pháp mới của các nhà nghiên cứu nhằm thu hẹp khoảng cách này, có khả năng định nghĩa lại bộ nhớ và kiến trúc máy tính.
Bí quyết công nghệ bộ nhớ flash từ Trung Quốc
Theo thông tin từ trường Đại học Phúc Đán, các ô nhớ trong PoX sử dụng lý thuyết mới mang tên “phun hạt mang nóng tăng cường 2D”, cho phép các electron bỏ qua giai đoạn “làm nóng” chậm thường cần thiết để di chuyển vào và ra khỏi các bóng bán dẫn cổng nổi. Nhóm nghiên cứu tin rằng công nghệ này có thể làm cho sự phân biệt giữa bộ nhớ và lưu trữ trở nên lỗi thời trong các hệ thống máy tính, từ đó cho phép triển khai các mô hình trí tuệ nhân tạo (AI) lớn mà không cần đến các hệ thống lưu trữ phân cấp.
Đại học Phúc Đán cho biết nguyên mẫu này, được chế tạo bằng công nghệ CMOS ở mức kilobyte, đang tiến tới giai đoạn sản xuất. Tuy nhiên, PoX hiện chỉ có khả năng lưu trữ kilobyte dữ liệu. Bước tiếp theo là nâng cấp dung lượng lên hàng chục megabyte trong vòng 3 đến 5 năm tới khi đó nó có thể được cấp phép cho các công ty để công nghiệp hóa.
Cập nhật tin tức công nghệ mới nhất tại fanpage Công nghệ & Cuộc sống